An Mn3Sn homo-junction enables efficient field-free full switching of chiral antiferromagnets with greatly reduced power consumption, advancing their potential for energy-efficient magnetic memory devices with advantages of ultradense integration and ultrafast speed.
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OpenAI報告指中國賬號求助ChatGPT打壓異見人士，要求協助抹黑高市早苗，更多细节参见同城约会
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